【亲测免费】 MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf 资源文件介绍

文件描述

MIL-HDBK-217F Notice 2 是对 MIL-HDBK-217F 基本修订版中的小错误进行修正的通知。MIL-HDBK-217F（基本文档）基于最近完成的研究（参见附录 C 中列出的 Ret 30 和 32）提供了以下更改：

1. 新的故障率预测模型：

   • 提供了以下九大类微电路的新故障率预测模型：
     • 单片双极数字和线性门/逻辑阵列器件
     • 单片 MOS 数字和线性门/逻辑阵列器件
     • 单片双极和 MOS 数字微处理器器件（包括控制器）
     • 单片双极和 MOS 存储器件
     • 单片 GaAs 数字器件
     • 单片 GaAs MMIC 器件
     • 混合微电路
     • 磁泡存储器
     • 表面声波器件
   • 该修订版为双极和 MOS 微电路提供了新的预测模型，包括门数高达 60,000 的线性微电路、高达 3,000 个晶体管的双极和 MOS 数字微处理器和协处理器（高达 32 位）、高达 100 万个位的存储器件、高达 1,000 个有源元件的 GaAs 单片微波集成电路（MMICs）以及高达 10,000 个晶体管的 GaAs 数字 IC。
   • C 因子已进行了广泛修订，以反映新技术设备的改进可靠性和激活能，这些激活能代表了芯片（IT）的温度敏感性，MOS 设备和存储器的激活能已发生变化。Ca 因子保持不变，但包括了引脚网格阵列和表面贴装封装，使用与密封焊封双列直插封装相同的模型。
   • 新的质量因子（o）、学习因子（i）和环境因子（aE）的值已包含在内。混合微电路的模型已修订，以简化使用，删除密封和互连故障率贡献的温度依赖性，并提供计算芯片结温的方法。

2. 新的模型：

   • 为超高速集成电路（VHSIC/HSIC 类）和超大规模集成（VLSI）器件（门数超过 60,000）提供了新模型。

3. 格式修订：

   • 对整个手册进行了重新格式化，使其更易于使用。

4. 环境因子减少：

   • 环境因子（F）的数量从 27 个减少到 14 个。

5. 网络电阻的故障率模型修订：

   • 修订了网络电阻的故障率模型。

6. TWT 和 Klystrons 模型修订：

   • 基于电子工业协会微波管部门提供的数据，修订了 TWT 和 Klystrons 的模型。

适用范围

该文件适用于需要进行微电路故障率预测和可靠性分析的工程师、技术人员和研究人员。

使用说明

下载并阅读 MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf 文件，以获取最新的故障率预测模型和相关修订信息。

注意事项

请确保在使用该文件中的模型和数据时，参考最新的技术标准和行业规范，以确保预测结果的准确性和可靠性。