抑制SiC MOSFET桥式电路串扰问题的驱动方法研究

本文主要探讨了高频桥式电路中SiC MOSFET的串扰问题及其驱动方法研究。作者巴腾飞、李艳通过深入研究，发现高频桥式电路中的串扰现象会导致SiC MOSFET的栅源极出现电压尖峰，进而引发开关管的误导通或栅源极击穿，限制了SiC MOSFT器件的应用。

本研究旨在提出一种有效的驱动方法，以抑制SiC MOSFET桥式电路的串扰问题，从而提高电路的性能和可靠性。文中详细介绍了串扰现象的产生原因、影响及其解决方案，为我国SiC MOSFET桥式电路的研究和应用提供了有益的参考。